| 时间：2024年09月15日 08:40:39 中财网 |
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中国国产DUV光刻机迎来里程碑式进步，套刻≤8nm
IT之家 9 月 15 日消息，工业和信息化部于 9 月 9 日印发《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录(2024 年版)》通知，在文件列表包含国产氟化氪光刻机(110nm)，和氟化氩光刻机(65nm)的内容。
中国国产DUV光刻机迎来里程碑式进步，套刻≤8nm
中国首台(套)重大技术装备是指国内实现重大技术突破、拥有知识产权、尚未取得明显市场业绩的装备产品，包括整机设备、核心系统和关键零部件等。
中国国产DUV光刻机迎来里程碑式进步，套刻≤8nm
IT之家附上这两行信息截图如下：
晶圆直径 照明波长 分辨率 套刻
氟化氪(KrF)光刻机 300mm 248nm ≤110nm ≤25nm
氟化氩(ArF)光刻机 300mm 193nm ≤65nm ≤8nm
氟化氪(KrF)和氟化氩(ArF)两种气体均服务于深紫外(DUV)光刻机，产生深紫外光的准分子激光器。
目前来说，光刻机共经历了五代的发展，从最早的 436 波长，再到第二代光刻机开始使用波长 365nm i-line，第三代则是 248nm 的 KrF 激光。第四代就是 193nm 波长的 DUV 激光，这就是 ArF 准分子激光。
图源：平安证券
ArF(氟化氩)准分子激光源光刻机，光源实际波长突破 193nm，缩短为 134nm，NA 值为 1.35，最高可实现 7nm 制程节点。
浸入技术是指让镜头和硅片之间的空间浸泡于液体之中，由于液体的折射率大于 1，使得激光的实际波长会大幅度缩小。
套刻精度就是常说的"多重曝光能达到的最高精度"，按套刻精度与量产工艺 1:3 的关系，这个光刻机大概可以量产 28nm 工艺的芯片。
28 纳米光刻机，是芯片中低端和中高端的分界线，意味着工业独立，中国的空调洗衣机汽车等各类工业品，可以突破西方国家设置的重重封锁，自主生产销售。(IT之家)
